[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

光电转换元件；

具有参考一侧的薄膜晶体管及输出一侧的薄膜晶体管且放大所述光电转换元件的输出的电流镜电路；以及

具有高电位电极和低电位电极的电源，

其中所述参考一侧的薄膜晶体管及所述输出一侧的薄膜晶体管都是n型薄膜晶体管，

所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述光电转换元件电连接到所述高电位电极，

所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方电连接到所述高电位电极，

所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极，

所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极，

所述参考一侧的薄膜晶体管布置在比所述输出一侧的薄膜晶体管接近所述低电位电极的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中抑制施加在所述参考一侧的薄膜晶体管的栅电极上的电压降低。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述输出一侧的薄膜晶体管的栅电极电连接到所述参考一侧的薄膜晶体管的栅电极、以及源电极及漏电极的一方，

并且所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述光电转换元件电连接到所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方，

并且所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方。

4.一种半导体器件，包括：

光电转换元件；

具有参考一侧的薄膜晶体管及输出一侧的薄膜晶体管且放大所述光电转换元件的输出的电流镜电路；以及

具有高电位电极和低电位电极的电源，

其中所述参考一侧的薄膜晶体管及所述输出一侧的薄膜晶体管都是n型薄膜晶体管，

所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述光电转换元件电连接到所述高电位电极，

所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方电连接到所述高电位电极，

所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极，

所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极，

所述参考一侧的薄膜晶体管与所述低电位电极之间的电流路径的长度短于所述输出一侧的薄膜晶体管与所述低电位电极之间的电流路径的长度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中抑制施加在所述参考一侧的薄膜晶体管的栅电极上的电压降低。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述输出一侧的薄膜晶体管的栅电极电连接到所述参考一侧的薄膜晶体管的栅电极、以及源电极及漏电极的一方，

并且所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述光电转换元件电连接到所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方，

并且所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方。

7.一种半导体器件，包括：

光电转换元件；

具有参考一侧的薄膜晶体管及多个输出一侧的薄膜晶体管且放大所述光电转换元件的输出的电流镜电路；以及

具有高电位电极和低电位电极的电源，

其中所述参考一侧的薄膜晶体管及所述多个输出一侧的薄膜晶体管都是n型薄膜晶体管，

所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述光电转换元件电连接到所述高电位电极，

所述多个输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方电连接到所述高电位电极，

所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极，

所述多个输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极，

所述参考一侧的薄膜晶体管布置在比所述多个输出一侧的薄膜晶体管的每一个接近所述低电位电极的位置。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中抑制施加在所述参考一侧的薄膜晶体管的栅电极上的电压降低。