[发明专利]结型场效应管及其制造方法无效
| 申请号： | 200710161270.0 | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101170136A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 小林俊介 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种结型场效应管，在现有的结型场效应管中，由于在外延层形成沟道区域，故不能形成浅的沟道区域，且高频特性的改善有限。另外，分离区域和沟道区域的pn结的杂质浓度差大，而不能降低漏泄电流。再有，由于沟道区域深，故内部电阻也高，不能实现噪声特性的改善。通过离子注入及扩散而选择性地形成浅的沟道区域。由于沟道区域与较低浓度的p型半导体层形成pn结，故能够实现接合电容降低得到的高频特性的改善和漏泄电流的降低。另外，由于栅极区域也通过离子注入而浅地形成，故实现了内部电阻的降低带来的噪声降低。再有，通过使源极区域及漏极区域贯通沟道区域，可提高耐压及静电破坏特性。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结型场效应管，其特征在于，具备：一导电型半导体衬底；设于该衬底上的一导电型半导体层；设于该一导电型半导体层的表面，端部与所述一导电型半导体层形成pn结的反向导电型的沟道区域；在该沟道区域的局部贯通该沟道区域而设置的反向导电型的源极区域及漏极区域；设于所述沟道区域表面的一导电型的栅极区域。
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