[发明专利]结型场效应管及其制造方法无效
| 申请号： | 200710161270.0 | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101170136A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 小林俊介 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 制造 方法 | ||
1.一种结型场效应管，其特征在于，具备：
一导电型半导体衬底；
设于该衬底上的一导电型半导体层；
设于该一导电型半导体层的表面，端部与所述一导电型半导体层形成pn结的反向导电型的沟道区域；
在该沟道区域的局部贯通该沟道区域而设置的反向导电型的源极区域及漏极区域；
设于所述沟道区域表面的一导电型的栅极区域。
2.一种结型场效应管，其特征在于，具备：
一导电型半导体衬底；
设于该衬底上的一导电型半导体层；
在该一导电型半导体层的表面岛状设置，端部与所述一导电型半导体层形成pn结的反向导电型的沟道区域；
在该沟道区域的局部贯通该沟道区域而设置的反向导电型的源极区域及漏极区域；
设于所述沟道区域表面的一导电型的栅极区域；
设于该栅极区域上，与该栅极区域接触的导电层。
3.如权利要求2所述的结型场效应管，其特征在于，所述导电层是含有杂质的半导体层。
4.如权利要求2所述的结型场效应管，其特征在于，所述导电层的上面宽度比所述栅极区域的宽度大。
5.如权利要求1或2所述的结型场效应管，其特征在于，在所述沟道区域下方，所述源极区域及所述漏极区域与所述半导体层形成pn结。
6.一种结型场效应管的制造方法，其特征在于，包括：
在一导电型半导体衬底上设置一导电型半导体层，在该一导电型半导体层的表面离子注入反向导电型杂质，形成端部与所述一导电型半导体层形成pn结的反向导电型的沟道区域的工序；
在所述沟道区域表面形成一导电型栅极区域的工序；
在所述沟道区域的局部形成贯通该沟道区域的反向导电型的源极区域及漏极区域的工序。
7.一种结型场效应管的制造方法，其特征在于，包括：
在一导电型半导体衬底上设置一导电型半导体层，在该一导电型半导体层的表面离子注入反向导电型杂质，岛状地形成端部与所述一导电型半导体层形成pn结的反向导电型的沟道区域的工序；
在所述沟道区域表面离子注入一导电型杂质的工序；
在所述沟道区域的表面形成导电层的工序；
在所述沟道区域表面形成一导电型栅极区域的工序；
在所述沟道区域的局部形成贯通该沟道区域的反向导电型的源极区域及漏极区域的工序。
8.如权利要求7所述的结型场效应管的制造方法，其特征在于，在所述沟道区域表面离子注入反向导电型杂质后，将该反向导电型杂质和所述一导电型杂质同时扩散，同时形成所述源极区域及漏极区域和所述栅极区域。
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