[发明专利]高饱和磁化强度的掺钴仙台斯特合金的制备方法无效
申请号: | 200710160244.6 | 申请日: | 2007-12-14 |
公开(公告)号: | CN101236813A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 严密;许盼盼;罗伟;马天宇 | 申请(专利权)人: | 浙江大学;横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/047 | 分类号: | H01F1/047;H01F1/08;C22C33/06;B22D11/01;B22F9/04;B22F1/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种高饱和磁化强度的掺钴仙台斯特合金的制备方法。包括如下步骤:1)采用纯度大于99.9wt%的Fe、Al、Si、Co为原料,放入中频真空感应炉中熔炼,得到母合金;2)将熔炼好的母合金放入快淬设备中,合金铸锭在高纯惰性气体保护下经过重熔后被迅速浇注至高速旋转的辊轮上,得到快速冷凝的薄带;3)采用球磨工艺进行扁平化处理,得到扁平粉末;4)将扁平粉末样品放入不锈钢管中,抽真空,充入惰性保护气体,将不锈钢管放入管式炉中加热,保温,随炉冷却;5)扁平粉末与粘结剂混炼加工成的薄片,放入热处理炉中加热,保温,空冷。本发明工艺简单,适合于大规模批量化生产;软磁性能优异,磁体具有较高的工作温度和极高的磁导率,磁屏蔽效果大大提高。 | ||
搜索关键词: | 饱和磁化强度 仙台 合金 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高饱和磁化强度的掺钴仙台斯特合金的制备方法,其特征是包括如下步骤:1)采用纯度大于99.9wt%的Fe、Al、Si、Co为原料,放入中频真空感应炉中熔炼,得到母合金;2)将熔炼好的母合金放入快淬设备中,合金铸锭在高纯惰性气体保护下经过重熔后被迅速浇注至高速旋转的辊轮上,得到快速冷凝的FeSiAlCo薄带,淬速为15~35m/s;3)将FeSiAlCo薄带或FeSiAlCo薄片放入球磨机球磨进行扁平化处理,得到扁平粉末,球料比3∶1~10∶1,转速200~460r/min;4)将扁平粉末样品放入不锈钢管中,抽真空到10-2~10-5Pa,充入惰性保护气体,气压为0.5×105~1.0×105Pa,将不锈钢管放入管式炉中加热至573K~873K,保温30~60min,随炉冷却;5)扁平粉末与粘结剂混炼加工成薄片,压力为20~40kN,放入热处理炉中加热100~200℃,保温30~60min,空冷。
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