[发明专利]高饱和磁化强度的掺钴仙台斯特合金的制备方法

权利要求书

1.一种高饱和磁化强度的掺钴仙台斯特合金的制备方法，其特征是包括如下步骤：

1)采用纯度大于99.9wt％的Fe、Al、Si、Co为原料，放入中频真空感应炉中熔炼，得到母合金；

2)将熔炼好的母合金放入快淬设备中，合金铸锭在高纯惰性气体保护下经过重熔后被迅速浇注至高速旋转的辊轮上，得到快速冷凝的FeSiAlCo薄带，淬速为15～35m/s；

3)将FeSiAlCo薄带或FeSiAlCo薄片放入球磨机球磨进行扁平化处理，得到扁平粉末，球料比3∶1～10∶1，转速200～460r/min；

4)将扁平粉末样品放入不锈钢管中，抽真空到10^-2～10^-5Pa，充入惰性保护气体，气压为0.5×10⁵～1.0×10⁵Pa，将不锈钢管放入管式炉中加热至573K～873K，保温30～60min，随炉冷却；

5)扁平粉末与粘结剂混炼加工成薄片，压力为20～40kN，放入热处理炉中加热100～200℃，保温30～60min，空冷。

2.根据权利要求1所述的一种高饱和磁化强度的掺钴仙台斯特合金的制备方法，其特征在于所述的母合金组成的重量百分比为：(Fe_1-xCo_x)₈₅Si_9.6Al_5.4其中0＜x＜0.2。

3.根据权利要求1所述的一种高饱和磁化强度的掺钴仙台斯特合金的制备方法，其特征在于所述的粘结剂为环氧树脂和聚酰胺树脂；环氧树脂与聚酰胺树脂的重量比为1∶1～0.5。