[发明专利]具有沟槽边缘终端结构的半导体器件

摘要

在一个实施例中，器件在半导体材料的区域中形成。该器件包括有源单元沟槽以及终端沟槽，每个终端沟槽具有在反向偏置条件下补偿半导体材料的区域以形成超结结构的掺杂侧壁表面。终端沟槽包括在反向偏置条件下增强耗尽区扩散的沟槽填充材料。

主权项

1.一种超结半导体器件，其包括：半导体基底，其具有配置成形成第一电极的表面；半导体材料的区域，其与所述半导体基底成间隔关系而被形成，并具有有源区和终端区，所述半导体材料的区域具有第一传导类型和第一电荷密度；有源器件，其在所述有源区中形成，其中，所述有源器件包括：第一沟槽和第二沟槽，其在所述半导体材料的区域中形成，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有侧壁表面；与所述第一传导类型相反的第二传导类型的第一掺杂区，其沿所述第一沟槽和所述第二沟槽的所述侧壁表面的至少一部分形成，其中，所述第一掺杂区具有配置成平衡所述第一电荷密度以形成超结结构的第二电荷密度；所述第二传导类型的基极区，其在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述半导体材料的区域中形成；所述第一传导类型的源极区，其在所述基极区中形成；第一绝缘控制电极，其邻近所述基极区和所述源极区，并配置成控制在所述源极区和所述第一电极之间的电流流动；以及第一沟槽填充材料，其在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成；以及终端结构，其在所述终端区中形成，其中，所述终端结构包括：多个终端沟槽，其在半导体材料的主体中形成，并延伸至所述半导体基底，其中，所述多个终端沟槽中的每个都具有沿侧壁表面形成的所述第二传导类型的第二掺杂区，其中，所述第二掺杂区具有配置成平衡所述第一电荷密度的第二电荷密度；第二沟槽填充材料，其在所述多个终端沟槽内形成；以及绝缘层，其覆盖所述终端结构而形成，并且配置成使得所述多个终端沟槽内的所述第二沟槽填充材料和所述第二掺杂区是漂浮的。