[发明专利]一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺无效
| 申请号: | 200710158829.4 | 申请日: | 2007-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN101363114A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
| 发明(设计)人: | 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;闻立时 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/54 |
| 代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
| 地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺,用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高靶材刻蚀均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量,提高薄膜质量,拓展了制备工艺参数的范围,为制备不同性能的薄膜提供条件。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 磁场 增强 电弧 离子镀 沉积 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺,其特征在于:采用电弧离子镀沉积装置,电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。
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