[发明专利]一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺无效
| 申请号： | 200710158829.4 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101363114A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;闻立时 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/54 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 增强 电弧 离子镀 沉积 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：采用电弧离子镀沉积装置，电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置，一套放置于靶材后面，另一套放置于真空室内，通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积；
放置于靶材后面的磁场发生装置为在中间安装镀镍纯铁的电磁线圈或者环形永磁体，放置于靶材后面的磁场发生装置直接浸泡在循环冷却水中；
放置于真空室内的磁场发生装置为一个磁场增强线圈，磁场增强线圈放置于真空室内的基体一侧或另一侧；
或者，放置于真空室内的磁场发生装置为两个磁场增强线圈，磁场增强线圈分别放置于真空室内的基体一侧或两侧。
2.按照权利要求1所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：放置于真空室内的靶材外周设置有导磁环。
3.按照权利要求1所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：放置于真空室的磁场发生装置产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同。
4.按照权利要求1所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：电磁线圈的电流形式是直流、交流或者脉冲的，电流大小通过调压电源调节。
5.按照权利要求1所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：电磁线圈与靶材同轴，电磁线圈的位置可调，通过调节电磁线圈电流的大小来调节磁感应强度的大小，通过调节电流的方向来改变磁极的方向。
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