[发明专利]Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法有效
| 申请号： | 200710156587.5 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101235536A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;林时胜;曾昱嘉;赵炳辉;陈凌翔;顾修全 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na2O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Na2O的ZnO为靶材，以纯O2为生长气氛，控制O2压强15－45pa，激光频率为1－5Hz，在衬底生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂，掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中Na的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | na 掺杂 生长 zno 晶体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是步骤如下：1)将纯氧化锌和碳酸钠粉末经球磨混合后压制成型，在600-800℃预烧结2小时以上，再在1000-1500℃烧结2小时以上，制得掺Na2O的ZnO靶材，Na的摩尔含量为0.2-1.0％；2)将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积装置的生长室中，生长室真空度抽到至少10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为500-700℃，以掺Na2O的ZnO为靶材，以纯O2为生长气氛，控制O2压强15-45pa，激光频率为1-5Hz，进行生长，生长后在氧气保护气氛下冷却。
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