[发明专利]Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法有效
| 申请号： | 200710156587.5 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101235536A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;林时胜;曾昱嘉;赵炳辉;陈凌翔;顾修全 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | na 掺杂 生长 zno 晶体 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是步骤如下：
1)将纯氧化锌和碳酸钠粉末经球磨混合后压制成型，在600-800℃预烧结2小时以上，再在1000-1500℃烧结2小时以上，制得掺Na2O的ZnO靶材，Na的摩尔含量为0.2-1.0％；
2)将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积装置的生长室中，生长室真空度抽到至少10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为500-700℃，以掺Na2O的ZnO为靶材，以纯O2为生长气氛，控制O2压强15-45pa，激光频率为1-5Hz，进行生长，生长后在氧气保护气氛下冷却。
2.根据权利要求1所述的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是所说的衬底是氧化锌、硅、蓝宝石、玻璃或石英。
3.根据权利要求1所述的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是氧化锌的纯度为99.99％以上。
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