[发明专利]双稳态电阻式随机存取存储器的操作方法有效
| 申请号： | 200710154768.4 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101169970A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛宝成;黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 用以揭露操作一双稳态电阻式随机存取存储器具有二个存储层堆栈串联的方法。此双稳态电阻式随机存取存储器在每一存储单元中包含每一存储单元有两个存储层堆栈，该双稳态电阻式随机存取存储器以四种逻辑状态操作，包括逻辑状态「00」、「01」、「10」和「11」。四个不同逻辑状态下的相互关系可以两变量n及f以及一电阻R以数学式子表示。以数学式表示逻辑状态「0」为(1+f)R。以数学式表示逻辑状态「1」为(n+f)R。以数学式表示逻辑状态「2」为(1+nf)R。以数学式表示逻辑状态「3」为n(1+f)R。 | ||
| 搜索关键词： | 双稳态 电阻 随机存取存储器 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作一电阻式随机存取存储器装置的方法，具有第一导电构件，位于一第一可编程电阻式随机存取存储器构件上，该第一可编程电阻式随机存取存储器构件位于一第二导电构件上，该第二导电构件则位于第二可编程电阻式随机存取存储器构件上，该方法至少包含：该第一可编程电阻式随机存取存储器构件与该第二可编程电阻式随机存取存储器构件以串联连接，该第一可编程电阻式随机存取存储器构件具有一表示一第一电阻值的面积，该第二可编程电阻式随机存取存储器构件具有一表示一第二电阻值R的面积，该第二可编程电阻式随机存取存储器构件其所具有该面积大于该第一可编程电阻式随机存取存储器构件，该第一可编程电阻式随机存取存储器构件具有第一逻辑状态、即“00”状态以及第二逻辑状态、即“ 01”状态，该第二可编程电阻式随机存取存储器构件具有第三逻辑状态、即“10”状态以及第四逻辑状态、即“11”状态；沉积一介电侧壁子于该第一导电构件以及该第一可编程电阻式随机存取存储器构件两侧以及在该第二导电构件的上表面，该第二可编程电阻式随机存取存储器构件具有一面积，该面积为该第一介电侧壁子的厚度的函数；以及改变该第一及该第二可编程电阻式随机存取存储器构件的逻辑状态至另一逻辑状态，逻辑状态是材料系数n及介电侧壁子的厚度f的函数。
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