[发明专利]双稳态电阻式随机存取存储器的操作方法有效
| 申请号： | 200710154768.4 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101169970A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛宝成;黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双稳态 电阻 随机存取存储器 操作方法 | ||
1.一种操作一电阻式随机存取存储器装置的方法，具有第一导电构件，位于一第一可编程电阻式随机存取存储器构件上，该第一可编程电阻式随机存取存储器构件位于一第二导电构件上，该第二导电构件则位于第二可编程电阻式随机存取存储器构件上，该方法至少包含：
该第一可编程电阻式随机存取存储器构件与该第二可编程电阻式随机存取存储器构件以串联连接，该第一可编程电阻式随机存取存储器构件具有一表示一第一电阻值的面积，该第二可编程电阻式随机存取存储器构件具有一表示一第二电阻值R的面积，该第二可编程电阻式随机存取存储器构件其所具有该面积大于该第一可编程电阻式随机存取存储器构件，该第一可编程电阻式随机存取存储器构件具有第一逻辑状态、即“00”状态以及第二逻辑状态、即“ 01”状态，该第二可编程电阻式随机存取存储器构件具有第三逻辑状态、即“10”状态以及第四逻辑状态、即“11”状态；
沉积一介电侧壁子于该第一导电构件以及该第一可编程电阻式随机存取存储器构件两侧以及在该第二导电构件的上表面，该第二可编程电阻式随机存取存储器构件具有一面积，该面积为该第一介电侧壁子的厚度的函数；
以及
改变该第一及该第二可编程电阻式随机存取存储器构件的逻辑状态至另一逻辑状态，逻辑状态是材料系数n及介电侧壁子的厚度f的函数。
2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一逻辑状态依据数学式(1+f)R操作。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该第二逻辑状态依据数学式(n+f)R操作。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该第三逻辑状态依据数学式(1+nf)R操作。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该第四逻辑状态依据数学式n(1+f)R操作。
6.如权利要求1所述的方法，更包括：
连接第一位线电压Vb1至该第一导电层的一顶面；
连接一第二位线电压Vb2至该第二可编程电阻式随机存取存储器构件的底面；
产生第一电阻式随机存取存储器电压V1RRAM于该第一导电构件及该第一可编程电阻式随机存取存储器构件之间；以及
产生一第二电阻式随机存取存储器电压V2RRAM于该第一可编程电阻式随机存取存储器构件及该第二可编程电阻式随机存取存储器构件之间。
7.如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器装置操作方法，其中，该第一及第二可编程电阻式随机存取存储器构件在一重置状态。
8.如权利要求6所述的方法，其中，该存储器装置从该第一逻辑状态经由过渡状态至该第二逻辑状态，如此从该第一逻辑状态改变至该过渡状态时，设定Vb1-Vb2＝Vhigh，V2RRAM＞VSET及V1RRAM＞VSET，以及从该过渡状态改变至该第二逻辑状态时，设定Vb2-Vb1＝-Vlow＜0，|V2RRAM|＜|VRESET|且|V1RRAM|＞|VRESET|。
9.如权利要求6所述的方法，其中，该存储器装置藉由设定Vb2-Vb1＝Vlow，V2RRAM＜VSET跟V1RRAM＞VSET由该第一逻辑状态改变至该第三逻辑状态。
10.如权利要求6所述的方法，其中，该存储器装置藉由设定Vb1-Vb2＝Vhigh，V2RRAM＞VSET跟V1RRAM＞VSET由该第一逻辑状态改变至该第四逻辑状态。
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