[发明专利]存储器单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200710153743.2 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101207179A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 西格弗里德·F·卡格;格哈德·I·梅杰;约翰尼斯·G·贝德诺尔兹 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波;许向华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器单元(10)，包括：电阻结构(1)，和连接至电阻结构(1)的至少两个电极(2)，其中：电阻结构(1)包括氢，和电阻结构(1)包括显示出至少10－8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元(10)，包括：电阻结构(1)，以及连接至所述电阻结构(1)的至少两个电极(2)，其中：所述电阻结构(1)包括氢，和所述电阻结构(1)包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。
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