[发明专利]存储器单元及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器单元(10)，包括：

电阻结构(1)，以及

连接至所述电阻结构(1)的至少两个电极(2)，

其中：

所述电阻结构(1)包括氢，和

所述电阻结构(1)包括显示出至少10^-8cm²/V_S的氢离子迁移率值的材料。

2.如权利要求1所述的存储器单元(10)，其中所述电极(2)的至少一个是对氢基本不渗透的。

3.如权利要求1或2所述的存储器单元(10)，其中所述电极(2)的至少一个是对氢基本化学惰性的。

4.如权利要求1、2或3所述的存储器单元(10)，其中所述电极(2)的至少一个包括下列之一：铂(Pt)、铱(Ir)、铑(Rd)、钌(Ru)、铼(Re)、锇(Os)和至少包括这些元素之一的合金。

5.如任何前述权利要求所述的存储器单元(10)，其中所述电阻结构(1)包括包含下列之一的材料：电介质材料、半导体和金属。

6.如任何前述权利要求所述的存储器单元(10)，其中所述电阻结构(1)包括氢掺杂材料。

7.如任何前述权利要求所述的存储器单元(10)，其中所述电阻结构(1)包括过渡金属氧化物。

8.如权利要求1至6中的任何一个所述的存储器单元(10)，其中所述电阻结构(1)包括聚合物。

9.一种非易失性存储器装置，包括至少一个如前述权利要求所要求的存储器单元(10)。

10.一种制造存储器单元(10)的方法，包括步骤：

提供包括氢的和包括显示出至少10^-8cm²/V_S的氢离子迁移率值的材料的电阻结构(S1)，和

将至少两个电极连接至所述电阻结构(S2)。