[发明专利]具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法无效
| 申请号： | 200710153279.7 | 申请日： | 2003-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101136321A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | J·东;E·H·伦兹 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭小军 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种可调的RF连接环，可以减小真空处理室中基片和热边缘环之间的垂直缝隙。缝隙的减小减少了聚合物在基片和静电吸盘上的沉积，改进了晶片的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 基片上 聚合物 沉积 部件 等离子体 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体处理装置中调节基片和围绕环之间缝隙的方法，包括：将连接环放置到在等离子体处理装置中用于支承基片的基片支承件上，该连接环包括：第一环，其具有至少三个突出部，所述突出部沿平行于连接环轴线的方向从第一环突出；和第二环，其具有至少三组许多台阶，所述台阶设置用来接收所述至少三个突出部中的每个突出部；以及使第一环相对于第二环转动，以调节第一环和第二环的总厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
