[发明专利]具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法

权利要求书

1.一种在等离子体处理装置中调节基片和围绕环之间缝隙的方法，包括：

将连接环放置到在等离子体处理装置中用于支承基片的基片支承件上，该连接环包括：第一环，其具有至少三个突出部，所述突出部沿平行于连接环轴线的方向从第一环突出；和第二环，其具有至少三组许多台阶，所述台阶设置用来接收所述至少三个突出部中的每个突出部；以及

使第一环相对于第二环转动，以调节第一环和第二环的总厚度。

2.如权利要求1所述的方法，还包括将围绕环放置到连接环上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个台阶均具有约为0.001英寸的调节高度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一环和第二环由石英制成，且所述围绕环是热边缘环。

5.如权利要求1所述的方法，还包括将基片放置在基片支承件上，其特征在于，所述基片支承件包括一个加有RF功率的吸盘，并且所述围绕环和连接环将RF通过基片耦合到位于上面的等离子体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二环的每一组台阶包括多个具有分级高度的台阶。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一环相对于第二环转动期间，该第一环接触第二环。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，由操作者来使所述第一环相对于第二环转动。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述围绕环是上部环，其包括在基片下面延伸的一部分；并且使第一环相对于第二环转动，以调节基片下表面与所述在基片下面延伸的上部环那部分的上表面之间的距离。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：把基片放置到基片支承件上；以及激发在等离子体处理装置中的处理气体以产生等离子体，并用该等离子体来处理基片。

11.一种在等离子体处理装置中安装和调节连接环的方法，包括：

将连接环放到等离子体处理装置中的基片支承件上，该连接环包括第一环和第二环；

将第三环放到连接环上；

测量从第三环顶表面到基片支承件底表面的缝隙；

移走第三环；以及

使第一环相对于第二环转动，以调节所述缝隙。

12.如权利要求11所述的方法，还包括，在所述转动之后：

将第三环放到连接环上；

测量从所述第三环表面到所述基片支承件表面的缝隙；以及

选择地重复所述移走第三环和使第一环相对于第二环转动，以重新调节所述缝隙。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，

第三环包括在支承于基片支承件表面上的基片下面延伸的一部分，且所述缝隙是从该部分的顶表面到所述基片支承件表面的距离；

第一环包括沿着与连接环轴线平行的方向从第一环伸出的多个突出部；

第二环包括多组由多个台阶构成的台阶组，所述台阶设置用于接收每个所述突出部；以及

使第一环相对于第二环转动，以调节第一环和第二环的总厚度。

14.如权利要求11所述的方法，还包括：把基片放置到基片支承件上；以及激发在等离子体处理装置中的处理气体以产生等离子体，并用该等离子体来处理基片。

15.如权利要求11所述的方法，还包括向基片支承件供应RF功率，以及通过连接环来把RF功率耦合到等离子体。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第三环是硅边缘环，其具有位于基片下面的一部分。

17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述处理包括等离子刻蚀半导体晶片。

18.如权利要求11所述的方法，还包括采用平面型天线来产生等离子体。