[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置具有沿指定的第1方向形成多个元件区域和元件分离区域的半导体基板、在多个上述元件区域上通过栅极绝缘膜形成的悬浮栅极即在上述第1方向按指定的第1间隔形成多个的悬浮栅极、在上述悬浮栅极上形成的栅极间绝缘膜、在上述栅极间绝缘膜上沿上述第1方向按第1间隔形成多个的控制栅极即遍及沿与上述第1方向交叉的第2方向相邻的多个上述栅极层形成的控制栅极、在上述元件分离区域形成的元件分离绝缘膜即其上端部位于上述栅极绝缘膜的上表面的上方而形成的在上述控制栅极间沿上述指定方向的侧壁的中央部的上述半导体基板的上表面的高度低于上述侧壁的端部的高度同时其上表面的内下端部位于上述半导体基板的表面的下方的元件分离绝缘膜。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板的主表面上形成栅极绝缘膜的工序；在上述栅极绝缘膜上形成悬浮栅极层的工序；对上述悬浮栅极层和上述栅极绝缘膜以及上述半导体基板沿指定方向形成槽部从而将上述悬浮栅极层和栅极绝缘膜分断成多个的工序；以其上表面位于上述悬浮栅极层上表面的下方并位于上述栅极绝缘膜的上表面的上方的方式在上述槽部内形成元件分离绝缘膜的工序；形成由氧化膜层和氮化膜层的层叠结构构成的栅极间绝缘膜以覆盖上述悬浮栅极层和上述元件分离绝缘膜的工序；在上述栅极间绝缘膜上形成控制栅极层的工序；沿与上述指定方向交叉的交叉方向除去上述控制栅极层而将该控制栅极层分断成多个的工序；将悬浮栅极层与栅极间绝缘膜间的选择比条件设为1∶1.5～2的范围内的指定条件，在分断上述控制栅极层的分断区域中对上述栅极间绝缘膜和上述元件分离绝缘膜进行刻蚀的工序；除去位于分断上述控制栅极层和上述栅极间绝缘膜的区域正下方的悬浮栅极层的工序。