[发明专利]一种改进的适用于BaY2F8单晶体生长的温度梯度法及其装置

摘要

一种改进的适用于BaY₂F₈单晶体生长的温度梯度法、以及该方法使用的小锥角坩埚及相关单晶生长装置的改进。本发明提供的小锥角坩埚用高纯石墨制成，坩埚中部的放肩部分呈倒立的圆锥形，圆锥的顶角为25°～35°。该单晶生长装置包括一个如上所述的小锥角坩埚和其他改进的相关装置。其他相关装置的主要改进点在于，在钼皮保温桶的顶部开孔、及在氧化铝陶瓷板与钼制坩埚托之间留有不小于2cm的空隙。该改进的生长BaY₂F₈单晶体的温度梯度法的要点是：在不低于6℃/mm的轴向温度梯度下，以使得晶体生长速度不高于1.8mm/小时的降温速率进行降温并生长晶体。本发明方法也适合各类掺杂的BaY₂F₈单晶体的生长。

主权项

1、一种适用于BaY2F8单晶体及掺杂的BaY2F8单晶体的温度梯度法生长的小锥角坩埚，其特征在于，该小锥角坩埚的底部为引晶毛细管道，毛细管道的直径为2.5～3.5mm，其长度大于20mm；坩埚中部的放肩部分为倒立的圆锥形，圆锥的顶角为25°～35°，放肩部分与引晶毛细管道之间的衔接部设计成弧面圆角；坩埚上部的等径部分的长度大于10mm。