[发明专利]制造图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200710149572.6 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101145540A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 方善敬 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71;H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及制造图像传感器的方法，该方法包括在半导体衬底之上形成多个较低层。第一钝化层可形成于较低层之上以保护较低层。第一钝化层可以不同厚度形成于像素区域和外围区域中。旋涂式玻璃(SOG)层可形成于第一钝化层之上。第二钝化层可形成于SOG层之上。阵列蚀刻可用于在半导体衬底中形成凹区。多个微透镜可形成于凹区的底部表面之上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底上形成多个较低层；在所述较低层上形成第一钝化层，以保护所述较低层，所述第一钝化层以不同厚度形成于像素区域和外围区域中；在所述第一钝化层之上形成旋涂式玻璃层；在所述旋涂式玻璃层之上形成第二钝化层；执行阵列蚀刻以在所述半导体衬底中形成凹区；以及在所述凹区的所述底部表面上形成多个微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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