[发明专利]制造图像传感器的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成多个较低层；

在所述较低层上形成第一钝化层，以保护所述较低层，所述第一钝化层以不同厚度形成于像素区域和外围区域中；

在所述第一钝化层之上形成旋涂式玻璃层；

在所述旋涂式玻璃层之上形成第二钝化层；

执行阵列蚀刻以在所述半导体衬底中形成凹区；以及

在所述凹区的所述底部表面上形成多个微透镜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述较低层的步骤包含：

在所述半导体衬底上形成包括彩色二极管的硅外延层；

在所述硅外延层上形成硅氮化物介电层、金属绝缘体金属层和第一金属层间介电层与第二金属层间介电层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层间介电层由硅氧化物形成。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二金属层间介电层由未掺杂的硅酸盐玻璃形成。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二金属层间介电层由硅酸四乙酯形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一钝化层由未掺杂的硅酸盐玻璃形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二钝化层由硅氮化物形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包含硅氮化物层形成于包括所述凹区的半导体衬底上。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述旋涂式玻璃层的步骤包含：

在所述第一钝化层上形成所述旋涂式玻璃层；

退火所述旋涂式玻璃层以固化所述旋涂式玻璃层；以及

在所述旋涂式玻璃层上执行化学机械抛光工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法用于制造CMOS图像传感器。

11.一种装置用于：

在半导体衬底上形成多个较低层；

在所述较低层上形成第一钝化层以保护所述较低层，所述第一钝化层以不同厚度形成于像素区域和外围区域中；

在所述第一钝化层之上形成旋涂式玻璃层；

在所述旋涂式玻璃层之上形成第二钝化层；

执行阵列蚀刻以在所述半导体衬底中形成凹区；以及

在所述凹区的所述底部表面上形成多个微透镜。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，用于形成所述较低层是用于：

在所述半导体衬底上形成包括彩色二极管的硅外延层；

在所述硅外延层上形成硅氮化物介电层、金属绝缘体金属层以及第一金属层间介电层及第二金属层间介电层。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，该装置用于形成所述硅氧化物的第一金属层间介电层。

14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，该装置用于形成未掺杂硅酸盐玻璃的第二金属层间介电层。

15.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，该装置用于形成硅酸四乙酯的第二金属层间介电层。

16.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，该装置用于形成未掺杂硅酸盐玻璃的第一钝化层。

17.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，该装置用于形成硅氮化物的第二钝化层。

18.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，该装置用于在包括所述凹区的半导体衬底上形成硅氮化物层。

19.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，通过以下步骤形成旋涂式玻璃层：

在所述第一钝化层上形成所述旋涂式玻璃层；

退火所述旋涂式玻璃层以固化所述旋涂式玻璃层；以及

在所述旋涂式玻璃层上执行化学机械抛光工艺。

20.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，该装置用于制造CMOS图像传感器。