[发明专利]LDMOS及集成LDMOS与CMOS的半导体器件有效
| 申请号： | 200710148834.7 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101378075A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 谭健 | 申请（专利权）人： | 谭健 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200223上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS及集成LDMOS与CMOS的半导体器件，其中集成LDMOS与CMOS的半导体器件，包括设于一半导体衬底上一CMOS和一LDMOS，其特征在于该LDMOS包括：一位于该衬底表面的沟道，位于该沟道上的一栅极，一源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻掺杂区的重掺杂区；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱位于该沟道下方且完全包含该沟道；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂区，该反向掺杂区位于所述源/漏极的重掺杂区和所述反向掺杂阱之间。本LDMOS充分利用CMOS已有的工艺，大大减化掩模层数。本发明提供的LDMOS具有开关速度快，导通电阻小，寄生电容低，成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 集成 cmos 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一LDMOS，包括一半导体衬底，一位于该衬底表面的沟道，以及位于该沟道上的一栅极，其特征在于还包括：一源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻掺杂区的重掺杂区；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱位于该沟道下方且完全包含该沟道；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂区，该反向掺杂区位于所述源/漏极的重掺杂区和所述反向掺杂阱之间。
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