[发明专利]LDMOS及集成LDMOS与CMOS的半导体器件

权利要求书

1.一LDMOS，包括一半导体衬底，一位于该衬底表面的沟道，以及位于该沟道上的一栅极， 其特征在于还包括：

一源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻 掺杂区的重掺杂区；

一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱位于该沟道下方且完全包含 该沟道及该栅极；

一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂区，该反向掺杂区位于所述源/漏极的重掺杂区 和所述反向掺杂阱之间；

所述反向掺杂区的掺杂浓度低于反向掺杂阱的掺杂浓度；

所述LDMOS还包括另一源/漏极，该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁的P型或N型重掺 杂区。

2.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征在于：所述源/漏极是P型轻掺杂区和P型重掺杂区， 所述反向掺杂阱是N型阱，所述反向掺杂区是N型掺杂区，其掺杂浓度低于所述反向掺杂 阱。

3.根据权利要求2所述的LDMOS，其特征在于：还包括包围所述源/漏极、所述反向掺杂阱和 所述反向掺杂区三部分构成一整体的两边的深度P型掺杂阱和下面的P型埋入层或P型衬 底。

4.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征在于：在所述衬底上还设有一P型外延层，所述沟 道位于该外延层表面，所述源/漏极是N型轻掺杂区和N型重掺杂区，所述反向掺杂阱是P 型阱，所述反向掺杂区是由P型外延层形成的，其掺杂浓度低于所述反向掺杂阱。

5.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征在于：在所述衬底上还设有一N型外延层，所述沟 道位于该外延层表面，所述源/漏极是P型轻掺杂区和P型重掺杂区，所述反向掺杂阱是N 型阱，所述反向掺杂区是由N型外延层形成的，其掺杂浓度低于所述反向掺杂阱。

6.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征在于：所述源/漏极是N型轻掺杂区和N型重掺杂区， 所述反向掺杂阱是P型阱，所述反向掺杂区是P型掺杂区，其掺杂浓度低于所述反向掺杂 阱。

7.根据权利要求6所述的LDMOS，其特征在于：还包括包围所述源/漏极、所述反向掺杂阱和 所述反向掺杂区三部分构成一整体的两边的深度N型掺杂阱和下面的N型埋入层或N型衬 底。

8.根据权利要求2或5所述的LDMOS，其特征在于：该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且 紧挨着该沟道的P型轻掺杂区和一紧挨着该P型轻掺杂区的P型重掺杂区。

9.根据权利要求4或6所述的LDMOS，其特征在于：该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且 紧挨着该沟道的另一N型轻掺杂区和一紧挨着该另一N型轻掺杂区的另一N型重掺杂区。

10.根据权利要求2所述的LDMOS，其特征在于：该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨 着该沟道的P型轻掺杂区和一紧挨着该P型轻掺杂区的P型重掺杂区，包围所述源/漏极、 所述反向掺杂阱和所述反向掺杂区、所述另一源/漏极四部分构成一整体的两边的深度P 型掺杂阱和下面的P型埋入层或P型衬底。

11.根据权利要求6所述的LDMOS，其特征在于：该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨 着该沟道的另一N型轻掺杂区和一紧挨着该另一N型轻掺杂区的另一N型重掺杂区，包围 所述源/漏极、所述反向掺杂阱和所述反向掺杂区、所述另一源/漏极四部分构成一整体的 两边的深度N型掺杂阱和下面的N型埋入层或N型衬底。