[发明专利]基板的等离子处理装置和等离子处理方法

摘要

本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适合于对基板加工的离子能量，能够进一步减小该离子能量宽度来对加工形状进行精细控制的基板的等离子处理装置及等离子处理方法，所要实现的基板的等离子处理装置构成为：内部可保持真空的真空室内，第1RF电压外加手段和第2RF电压外加手段利用门触发装置分别对第1频率的第1RF电压和为所述第1频率的1/2的整数倍但不同于所述第1频率的第2频率的第2RF电压彼此进行相位控制，叠加加到与对置电极相向配置的RF电极上。

主权项

1.一种基板的等离子处理装置，其特征在于，包括：内部保持真空的真空室；配置于所述真空室内，并构成为在主面上保持待处理基板的RF电极；在所述真空室内与所述RF电极相向配置的对置电极；对所述RF电极加上具有彼此不同频率的多个RF电压用的包括第一RF电压外加装置和第二RF电压外加装置的多个RF电压外加装置；以及门触发装置，用于连接所述第1 RF电压外加装置和所述第2 RF电压外加装置，并进行相位控制，使得所述第1电压和所述第2电压相对于所述RF电极叠加，相对于从所述多个RF电压当中选出的一个RF电压的频率，其余RF电压的频率为所述所选出的一个RF电压的所述频率的1/2的整数倍。