[发明专利]基板的等离子处理装置和等离子处理方法

权利要求书

1.一种基板的等离子处理装置，其特征在于，包括：

内部保持真空的真空室；

配置于所述真空室内，并构成为在主面上保持待处理基板的RF电极；

在所述真空室内与所述RF电极相向配置的对置电极；

对所述RF电极加上具有彼此不同频率的多个RF电压用的包括第一RF电压外加装置和第二RF电压外加装置的多个RF电压外加装置；以及

门触发装置，用于连接所述第1 RF电压外加装置和所述第2 RF电压外加装置，并进行相位控制，使得所述第1电压和所述第2电压相对于所述RF电极叠加，

相对于从所述多个RF电压当中选出的一个RF电压的频率，其余RF电压的频率为所述所选出的一个RF电压的所述频率的1/2的整数倍。

2.如权利要求1所述的基板的等离子处理装置，其特征在于，所述RF电极和所述RF电压外加装置之间具有监测所述多个RF电压的叠加波形用的叠加波形监测装置。

3.如权利要求1或2所述的基板的等离子处理装置，其特征在于，包括用于监测所述真空室内至少入射所述RF电极的离子的能量状态的离子能量检测手段。

4.一种基板的等离子处理方法，其特征在于，包括：

在内部保持真空的真空室内配置RF电极的工序，所述RF电极构成为在主面上保持待处理的基板；

在所述真空室内与所述RF电极相向地配置对置电极的工序；

对所述RF电极加上具有彼此不同频率的多个RF电压的工序；以及

使所述多个RF电压同步，并实施其相位控制，以便使所述多个RF电压彼此叠加，并且其叠加波形为负脉冲形状，同时相对于从所述多个RF电压当中选出的一个RF电压的频率，其余RF电压的频率的至少一个为所述所选出的一个RF电压的所述频率的1/2的整数倍的工序。

5.一种基板的等离子处理方法，其特征在于，包括：

在内部保持真空的真空室内配置RF电极的工序，所述RF电极构成为在主面上保持待处理的基板；

在所述真空室内与所述RF电极相向配置对置电极的工序；

对所述RF电极加上具有彼此不同频率的多个RF电压的工序；以及

使得相对于从所述多个RF电压当中选出的一个RF电压的频率，其余RF电压的频率成为所述所选出的一个RF电压的所述频率的1/2的整数倍，将所述多个RF电压其加到所述RF电极上所产生的入射所述基板的平均离子能量设定为适于加工所述基板的能量值的同时，使能带变窄以便其能量宽度适于加工所述基板的工序。