[发明专利]能够基于操作模式产生不同电压的电压产生电路有效
| 申请号： | 200710148544.2 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101136249A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金镇国;李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供用于操作非易失性半导体存储器件的高电压产生电路和方法，与诸如快闪存储器之类的非易失性存储器一起使用，其用于选择性地产生不同类型的控制电压，以用于非易失性存储器件的各种操作模式。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 基于 操作 模式 产生 不同 电压 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储阵列，包括多个非易失性存储单元的块，其中每个存储单元的块包括多条字线，每条字线连接到所述块中的非易失性存储单元的行；以及高电压产生单元，用于产生施加于所述存储阵列以执行擦除、编程和读取操作的不同恒定电压；其中，所述高电压产生单元包括：第一电压产生电路，其选择性地响应于第一控制信号而产生编程通过电压Vpass，或响应于第二控制信号而产生读取电压Vread，其中所述编程通过电压在编程操作期间公共地施加于存储块的未被选择的字线，所述读取电压在编程验证操作期间公共地施加于存储块的未被选择的字线。
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