[发明专利]层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包有效
| 申请号： | 200710148237.4 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101140926A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 圣杰·哈佛纳 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 衷诚宣 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种层迭式双MOSFET包。该集成电路包包括：第一传导接片；一个高端MOSFET管芯，它跟第一传导接片的耦合使得该高端MOSFET管芯的漏极电耦合到第一传导接片；第二传导接片，它以复层关系电耦合到该高端MOSFET管芯的源极；一个低端MOSFET管芯，它跟第二传导接片的耦合使得该低端MOSFET管芯的漏极电耦合到第二传导接片；第一引线，耦合到该高端MOSFET管芯的门极；至少一个第二引线，耦合到第一传导接片；至少一个第三引线，耦合到低端MOSFET管芯的源极；第四引线，耦合到低端MOSFET管芯的门极；以及密封外壳，用来包装：第一传导接片的各部分、高端MOSFET管芯、第二传导接片的各部分、低端MOSFET管芯、和第一引线、至少一个第二引线、至少一个第三引线、和第四引线的各部分。 | ||
| 搜索关键词： | 层迭式 双金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，包括以下部分：第一传导接片；一个高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯，它跟第一传导接片的耦合使得该高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的漏极电耦合到第一传导接片；第二传导接片，它以跟高端金属氧化物半导体场效应晶体管的复层关系电耦合到该高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的源极；一个低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯，它跟第二传导接片的耦合使得该低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的漏极电耦合到第二传导接片；第一引线，耦合到该高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的门极；至少一个第二引线，耦合到第一传导接片；至少一个第三引线，耦合到低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的源极；第四引线，耦合到低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的门极；密封外壳，用来包装：第一传导接片的各部分、高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯、第二传导接片的各部分、低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯、和第一引线、如上文所述的至少一个第二引线、如上文所述的至少一个第三引线、和第四引线的各部分。
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