[发明专利]层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包

权利要求书

1.一种层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，包括以下部分：

第一传导接片；

一个高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯，它跟第一传导接片的耦合使得该高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的漏极电耦合到第一传导接片；

第二传导接片，它以跟高端金属氧化物半导体场效应晶体管的复层关系电耦合到该高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的源极；

一个低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯，它跟第二传导接片的耦合使得该低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的漏极电耦合到第二传导接片；

第一引线，耦合到该高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的门极；

至少一个第二引线，耦合到第一传导接片；

至少一个第三引线，耦合到低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的源极；

第四引线，耦合到低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的门极；密封外壳，用来包装：第一传导接片的各部分、高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯、第二传导接片的各部分、低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯、和第一引线、如上文所述的至少一个第二引线、如上文所述的至少一个第三引线、和第四引线的各部分。

2.如权利要求1所述的层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，其中第二传导接片覆盖高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的方式让高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的门极接点得以暴露出来。

3.如权利要求1所述的层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，其中第二传导接片包括一个相位接片。

4.如权利要求1所述的层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，其中第二传导接片伸出了封装外壳。

5.如权利要求1所述的层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，其中第二传导接片包括一个较薄部分和一个较厚部分。

6.如权利要求5所述的层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，其中所述较薄部分覆盖了高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯。

7.如权利要求1所述的层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，其中第二传导接片包括一个较薄部分和一个较厚部分，该较厚部分的底面跟第一传导接片的底面设置在同一个平面。

8.如权利要求7所述的层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，其中所述较厚部分的底面跟第一传导接片的底面包括两个传导接片。

9.如权利要求8所述的层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包，其特征在于，其中所述两个传导接片暴露到封装外壳的底面外。

10.一种制备层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包的方法，其特征在于，包括下列步骤：

形成第一传导接片；

将高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯层迭到第一传导接片上以使得高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的漏极接点耦合到第一传导接片；

以覆盖关系将第二传导接片层迭到高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯上以使得高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的源极接点耦合到第二传导接片；

将低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯层迭到第二传导接片上以使得低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的漏极接点耦合到第二传导接片上。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，其中第二传导接片覆盖高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的方式让高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯的门极接点得以暴露出来。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，其中第二传导接片包括一个相位接片。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括密封包装第一传导接片、高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯、低端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯、和第二传导接片的一部分。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，其中第二传导接片包括较薄部分和较厚部分。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中较薄部分覆盖高端金属氧化物半导体场效应晶体管管芯。