[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710147152.4 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136422A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 沈喜成 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中该CMOS图像传感器用于将光信号转换成电信号，其包括多个单位像素，其中每个单位像素包括：光电二极管，位于有源区的一侧上；多个栅极，叠置在该有源区中；和源极/漏极区域，位于所述多个栅极下面的区域的两侧，通过杂质注入来形成该源极/漏极区域。所述多个栅极包括：转移晶体管、复位晶体管、驱动晶体管和选择晶体管，并且该驱动晶体管的多晶硅层从该复位晶体管与该选择晶体管之间的区域延伸至该复位晶体管与该转移晶体管之间的区域。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，用于将光信号转换成电信号，其包括多个单位像素，其中每个单位像素包括：光电二极管，位于有源区的一侧上；多个栅极，叠置在该有源区中；和源极/漏极区域，位于所述多个栅极下面的区域的两侧，通过杂质注入来形成该源极/漏极区域；其中所述多个栅极包括：转移晶体管、复位晶体管、驱动晶体管和选择晶体管，并且该驱动晶体管的多晶硅层从该复位晶体管与该选择晶体管之间的区域延伸至该复位晶体管与该转移晶体管之间的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
