[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，用于将光信号转换成电信号，其包括多个单位像素，其中每个单位像素包括：

光电二极管，位于有源区的一侧上；

多个栅极，叠置在该有源区中；和

源极/漏极区域，位于所述多个栅极下面的区域的两侧，通过杂质注入来形成该源极/漏极区域；

其中所述多个栅极包括：转移晶体管、复位晶体管、驱动晶体管和选择晶体管，并且该驱动晶体管的多晶硅层从该复位晶体管与该选择晶体管之间的区域延伸至该复位晶体管与该转移晶体管之间的区域。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中该转移晶体管将从该光电二极管产生的光电荷转移至浮置扩散层，该驱动晶体管重置该浮置扩散层的电压电平，该驱动晶体管用作源极跟随器，以及该选择晶体管执行切换操作，以输出像素数据。

3.一种CMOS图像传感器的制造方法，该CMOS图像传感器具有多个单位像素，该方法包括以下步骤：

形成器件隔离层，以在衬底中限定有源层；

在该衬底上形成多晶硅层；

在该多晶硅层的侧壁上形成间隔件；

通过将该间隔件用作离子注入掩模，在通过以上步骤所形成的结构上进行离子注入工艺；

去除该间隔件；

在该多晶硅层上沉积氧化物层；

蚀刻该氧化物层，以形成接触孔；和

在该接触孔中沉积金属，以形成接触塞。

4.如权利要求3所述的方法，其中由该多晶硅层形成的栅极是复位晶体管。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述去除该间隔件的步骤包括以下步骤：

在该多晶硅层上涂覆光致抗蚀剂层；和

通过将该光致抗蚀剂层用作蚀刻掩模来执行选择性蚀刻工艺。