[发明专利]吸杂层形成装置有效

专利信息
申请号: 200710146695.4 申请日: 2007-08-24
公开(公告)号: CN101136313A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 荒井一尚 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/322
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 党晓林
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种吸杂层形成装置,在经过磨削的半导体晶片的背面形成由多晶硅层或氮化硅层构成的吸杂层的情况下,能够使吸杂层产生充分的吸杂效果。本发明提供吸杂层形成装置(1),其至少由以下部分构成:吸盘工作台(18),其具有保持半导体晶片的保持面(180);磨削单元(20、21),其对表面侧保持在保持面(180)上的半导体晶片(W)的背面(W2)进行磨削;清洗单元(15),其对背面(W2)被磨削了的半导体晶片(W)进行清洗;吸杂层形成单元(47),其容纳清洗完的半导体晶片(W),并在半导体晶片(W)的背面(W2)上,形成氮化硅层或多晶硅层中的任一层来作为吸杂层。
搜索关键词: 吸杂层 形成 装置
【主权项】:
1.一种吸杂层形成装置,其对在表面上形成有多个器件的半导体晶片的背面进行磨削,并在该背面形成吸杂层,其特征在于,所述吸杂层形成装置至少由以下部分构成:吸盘工作台,其具有保持半导体晶片的保持面;磨削单元,其对表面侧保持在该保持面上的半导体晶片的背面进行磨削;清洗单元,其对该背面被磨削了的半导体晶片进行清洗;吸杂层形成单元,其容纳清洗完的半导体晶片,并在该半导体晶片的背面,形成氮化硅层或多晶硅层中的任一层作为吸杂层。
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