[发明专利]吸杂层形成装置

权利要求书

1.一种吸杂层形成装置，其对在表面上形成有多个器件的半导体晶片的背面进行磨削，并在该背面形成吸杂层，其特征在于，

所述吸杂层形成装置至少由以下部分构成：

吸盘工作台，其具有保持半导体晶片的保持面；

磨削单元，其对表面侧保持在该保持面上的半导体晶片的背面进行磨削；

清洗单元，其对该背面被磨削了的半导体晶片进行清洗；

吸杂层形成单元，其容纳清洗完的半导体晶片，并在该半导体晶片的背面，形成氮化硅层或多晶硅层中的任一层作为吸杂层。

2.如权利要求1中所述的吸杂层形成装置，其特征在于，

所述吸杂层形成单元兼具有对半导体晶片的背面进行干刻蚀的干刻蚀单元的功能。