[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板及可修复电容无效
申请号: | 200710145642.0 | 申请日: | 2007-09-06 |
公开(公告)号: | CN101123261A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 简良能;林志远;杨克勤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板。薄膜晶体管阵列基板包括:一基板;多条数据线及多条扫描线。其中,这些扫描线与数据线将基板区分为多个显示单元,且这些显示单元包含:一薄膜晶体管;一储存电容下电极;一覆盖储存电容下电极的第一介电层;一形成于第一介电层上的储存电容上电极;一覆盖储存电容上电极及薄膜晶体管的第二介电层;多个形成于第二介电层中的开口;以及一形成于第二介电层上的像素电极。其中,储存电容下电极进一步区分为一第一部分及一第二部分,且第一部分与第二部分虽彼此分离,但两者互相电性连接。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 薄膜晶体管 阵列 修复 电容 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:一基板;多条数据线,配置于该基板上;以及多条扫描线,配置于该基板上,且该扫描线与该数据线互相交错但彼此不电性连接,该扫描线与该数据线并将该基板区分为多个显示单元;其中,每一该显示单元包含:一薄膜晶体管,位于该基板上并具有一源极、一栅极及一漏极,该源极与对应的该数据线电性连接,且该栅极与对应的该扫描线电性连接;一储存电容下电极,位于该基板上并区分为一第一部分及一第二部分,且该第一部分与该第二部分彼此分离,但互相电性并连;一第一介电层,覆盖该储存电容下电极;一储存电容上电极,形成于该第一介电层上,且该储存电容上电极位于该储存电容下电极的上侧;一第二介电层,覆盖该薄膜晶体管及该储存电容上电极;多个开口,形成于该第二介电层中,以曝露出该薄膜晶体管的部分漏极、位于该储存电容下电极的第一部分上侧的储存电容上电极及位于该储存电容下电极的第二部分上侧的储存电容上电极;以及一像素电极,形成于该第二介电层上,该像素电极并经由该开口与该薄膜晶体管的漏极及该储存电容上电极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的