[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板及可修复电容

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板，尤其涉及一种可修复其储存电容的漏电流缺陷的薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

请参阅图1A、图1B及图1C，其中图1A未现有技术的薄膜晶体管阵列基板的示意图，图1B为此薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的示意图，图1C则为沿着图1B中A-A’联机所得的剖面示意图。

如图1A所示，现有的薄膜晶体管阵列基板1包括：一基板11；多条数据线12；以及多条扫描线13。其中，这些数据线12与这些扫描线13均配置于基板11上，且基板11较佳为玻璃基板。此外，这些扫描线13与这些数据线12互相交错但彼此不电性连接，它们并将基板11区分为多个显示单元14，即像素单元。

接者，如图1B及图1C所示，在现有的薄膜晶体管阵列基板中，每一个显示单元14分别包含：一薄膜晶体管141、一储存电容下电极142、一第一介电层143、一储存电容上电极144、一第二介电层145、两个开口146、147以及一像素电极148。其中，薄膜晶体管141位于图1A所示的基板11上，其具有底栅极结构并具有一源极1411、一栅极1412及一漏极1413。此外，源极1411与相邻对应的数据线121电性连接，而栅极1412则与相邻对应的扫描线131电性连接。另一方面，储存电容下电极142也位于图1A所示的基板11上，第一介电层143覆盖储存电容下电极142，储存电容上电极144则形成于第一介电层143上并位于储存电容下电极142的上侧，第二介电层145则覆盖薄膜晶体管141及储存电容上电极144。此外，两个开口146、147分别形成于第二介电层145中，以曝露出薄膜晶体管141的部分漏极1413及位于储存电容下电极142上侧的储存电容上电极144，且这两个开口146、147较佳为导电接触孔。最后，像素电极148形成于第二介电层145上，其材质为一透明导电材料，较佳为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，且像素电极148经由这两个开口146、147而与薄膜晶体管141的漏极1413及储存电容上电极144电性连接。如前所述，在显示单元14中，由于第一介电层143位于储存电容下电极142与储存电容上电极144之间，所以显示单元14具有一储存电容(图中未示)。

另外，如图1B及图1C所示，当显示单元14显示画面时，一来自其薄膜晶体管141的控制信号通过两个开口146、147而到达像素电极148，以使像素电极148的电位产生相应的变化来驱动液晶分子改变其状态。另一方面，由于像素电极148也经由开口146、147而与储存电容上电极144电性连接，所以当现有的薄膜晶体管阵列基板1处于其“显示状态”时，来自前述的储存电容(图中未示)的电流便可到达像素电极148，以提供像素电极148维持其电位状态所需要的驱动电流。

但是，当现有技术的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的储存电容(图中未示)发生“漏电流缺陷”的时候，即位于储存电容上电极144与储存电容下电极142两者之间的第一介电层143失去其应具有的绝缘能力的时候，此储存电容(图中未示)便无法再正常运作(储存电流)，导致薄膜晶体管141无法控制此显示单元14的动作。此时，无论此显示单元14所应处的状态为何(显示状态或关闭状态)，其像素电极148都会处于同样的驱动电位，即此显示单元14无法再具有两种不同的状态，而形成一持续辉点或一持续黑点，使得一具有此现有技术的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的显示质量严重下降。

因此，业界需要一种可轻易修复其储存电容的漏电流缺陷的薄膜晶体管阵列基板。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，可轻易修复其储存电容的漏电流缺陷。