[发明专利]采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法

摘要

采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，它涉及碳化硅反射镜表面的涂膜方法。它解决了现有反射镜的两相具有相差悬殊的硬度值，使抛光的均匀性受到影响，加工难度高；反射镜的粗糙度较高、表面易损伤的问题。本发明的方法为：一、将碳化硅反射镜进行清洗；二、将碳化硅反射镜置于磁控溅射真空仓内的加热台上；三、将真空仓内抽真空，对碳化硅反射镜加热；四、通入Ar气，启动电离电源，对碳化硅反射镜表面进行电离清洗；五、向反射镜表面进行磁控溅射沉积镀膜。本发明方法制备的硅膜致密性好，覆盖了碳化硅表面的两相组织，易于抛光，光学精度高，硅膜与反射镜表面的结合性好。

主权项

1.采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：步骤一、将碳化硅反射镜用丙酮超声波清洗15～30分钟，再用酒精清洗15～30分钟，最后再用去离子水清洗15～30分钟；步骤二、将碳化硅反射镜作为基底置于加热台上，整个装置放入磁控溅射真空仓内；步骤三、通过真空系统将真空仓内抽真空，当真空仓内真空度达到1.0×10-4～9.9×10-4帕时，启动加热装置对碳化硅反射镜加热，加热温度为25～650℃，并且保温10分钟～2小时；步骤四、通入Ar气，当真空仓内压强为3～5帕时，对碳化硅反射镜表面进行反溅清洗10～20分钟；步骤五、反溅清洗完毕后，施加溅射功率启辉，溅射功率为60～200瓦，气体流量控制在10sccm～50sccm，预溅射3～5分钟后，真空仓内气体压强降至0.1～2帕，在反射镜表面上加0～200伏的脉冲负偏压，脉冲的占空比为10％～90％，移开挡板，采用磁控溅射方法向反射镜表面进行磁控溅射沉积镀膜，磁控溅射沉积镀膜时间由膜的厚度来确定，磁控溅射沉积结束，关闭所有电源，待真空仓内温度降至室温时，即完成对碳化硅反射镜表面硅膜的涂覆。