[发明专利]采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法

权利要求书

1.采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：

步骤一、将碳化硅反射镜用丙酮超声波清洗15～30分钟，再用酒精清洗15～30分钟，最后再用去离子水清洗15～30分钟；

步骤二、将碳化硅反射镜作为基底置于加热台上，整个装置放入磁控溅射真空仓内；

步骤三、通过真空系统将真空仓内抽真空，当真空仓内真空度达到1.0×10^-4～9.9×10^-4帕时，启动加热装置对碳化硅反射镜加热，加热温度为25～650℃，并且保温10分钟～2小时；

步骤四、通入Ar气，当真空仓内压强为3～5帕时，对碳化硅反射镜表面进行反溅清洗10～20分钟；

步骤五、反溅清洗完毕后，施加溅射功率启辉，溅射功率为60～200瓦，气体流量控制在10sccm～50sccm，预溅射3～5分钟后，真空仓内气体压强降至0.1～2帕，在反射镜表面上加0～200伏的脉冲负偏压，脉冲的占空比为10％～90％，移开挡板，采用磁控溅射方法向反射镜表面进行磁控溅射沉积镀膜，磁控溅射沉积镀膜时间由膜的厚度来确定，磁控溅射沉积结束，关闭所有电源，待真空仓内温度降至室温时，即完成对碳化硅反射镜表面硅膜的涂覆。

2.根据权利要求1所述的采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面制备硅膜层的方法，其特征在于步骤一中将碳化硅基底用丙酮超声波清洗20分钟，再用酒精超声波清洗20分钟，最后用去离子水超声波清洗10分钟。

3.根据权利要求1所述的采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面制备硅膜层的方法，其特征在于步骤二中将碳化硅衬底置于加热台上，整个装置位于磁控溅射真空仓内；步骤三中通过真空系统将真空仓内抽成真空，当真空仓内真空度达到2.0×10^-4帕时，启动加热装置对碳化硅反射镜加热，加热至400℃，并且保温1小时。

4.根据权利要求1所述的采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，其特征在于步骤四中通入Ar气，当真空仓内压强为5帕时，对碳化硅反射镜表面进行反溅清洗15分钟。

5.根据权利要求1所述的采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，其特征在于步骤五中磁控溅射沉积镀膜的厚度为0.3～10微米。

6.根据权利要求1所述的采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，其特征在于步骤五中电离清洗完毕后，施加溅射功率启辉，溅射功率为120瓦，气体流量控制在25sccm，预溅射5分钟后，真空仓内气体压强降至1.2帕，移开挡板，向反射镜表面镀膜，镀硅膜的厚度为0.8微米，磁控溅射沉积镀膜时间为1小时。