[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710143787.7 申请日: 2007-08-06
公开(公告)号: CN101364628A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 徐大正;李亚儒;杨雅兰;苏英阳;吕琪玮 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭露一种半导体发光装置,其包含具有外凸部的蓝宝石基板以及形成于蓝宝石基板上方的半导体发光迭层结构,其中,外凸部至少一外表面为晶面(facet)、非极性面(non-polar plane)或半极性面(semi-polar plane),并且半导体发光迭层结构大体上与外凸部的轮廓相符合。于一实施例中,晶面可为非极性面或半极性面。
搜索关键词: 半导体 发光 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体发光装置,包含:蓝宝石基板,具有外凸部,该外凸部的至少一外表面的部分包含晶面、非极性面、或半极性面;以及半导体发光迭层结构,形成于该基板上方,并大体上与该外凸部的轮廓相符合。
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