[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包含：

蓝宝石基板，具有外凸部，该外凸部的至少一外表面的部分包含非 {0001}晶面、非极性面、或半极性面；以及

半导体发光迭层结构，形成于该基板上方，并与该外凸部的轮廓相符合。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该晶面择自{11-20}、 {10-10}、{11-23}、{1122}、及{10-11}所构成的群组。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该外凸部的轮廓择自角 锥、脊形、及平截头体所构成的群组。

4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该外凸部的轮廓是三角 锥，且该外凸部的至少一外表面为{1-102}。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该外凸部形成为一脊形， 且该外凸部的至少一外表面为{1-102}。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该半导体发光迭层结构 中的各层平行于该外凸部的该外表面。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中该半导体发光迭层结构 包含：

n型半导体层；

p型半导体层；及

发光层，位于该n型半导体层与该p型半导体层之间。

8.如权利要求6所述的半导体发光装置，其中该半导体发光迭层结构 还包含：

缓冲层，位于该基板与该半导体发光迭层结构之间。

9.如权利要求6所述的半导体发光装置，还包含：

n型电极，与该n型半导体层电性连接；及

p型电极，与该p型半导体层电性连接。

10.如权利要求9所述的半导体发光装置，其中该n型电极与该p型电 极达到相同的高度。

11.一种半导体发光装置的制造方法，包含：

提供蓝宝石基板；

蚀刻该蓝宝石基板并形成具有非{0001}晶面的外凸部；

形成发光层于该外凸部上方；

形成p型半导体层于该发光层的一侧；及

形成n型半导体层于该发光层的另一侧。

12.如权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，其中该外凸部 形成为一轮廓，其择自角锥、脊形、及平截头体所构成的群组。

13.如权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，还包含：

形成缓冲层于该蓝宝石基板上。

14.如权利要求13所述的半导体发光装置的制造方法，其中该缓冲层 形成于200℃～900℃。

15.如权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，还包含：

形成透明导电层于该发光层远离该蓝宝石基板的一侧。

16.如权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，还包含：

形成电性连接至该n型半导体层的n型电极；及

形成电性连接至该p型半导体层的p型电极。

17.如权利要求16所述的半导体发光装置的制造方法，其中该n型电 极与该p型电极形成至相同的高度。

18.如权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，其中该外凸部 形成为两个以上。

19.如权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，其中该发光层 形成为多重量子阱结构。

20.如权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，其中该外凸部 的轮廓择自三角锥、三角脊所构成的群组。