[发明专利]测量漏电流的方法与装置无效
| 申请号： | 200710142097.X | 申请日： | 2007-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101135716A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金钟玟 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/00;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可以测量有第一端和第二端的半导体元件漏电流的方法与装置。所述测量漏电流的装置包括：电容，包括与所述半导体元件的所述第一端相耦合的一端；以及金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括漏极节点、栅极节点、源极节点和体节点，其中栅极节点设置为与所述半导体元件的一端相耦合，以及源极节点和体节点设置为可以与所述半导体元件的第二端相耦合并接收能量。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 漏电 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量具有第一端和第二端的半导体元件的漏电流的装置，包括：电容，包括与所述半导体元件的第一端相耦合的一端；以及金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：漏极节点、栅极节点、源极节点以及体节点，其中，栅极节点设定为与所述半导体元件的第一端相耦合；以及源极节点和体节点设定为与所述半导体元件的第二端相耦合并接收能量。
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