[发明专利]测量漏电流的方法与装置

权利要求书

1.一种用于测量具有第一端和第二端的半导体元件的漏电流的装置，包括：

电容，包括与所述半导体元件的第一端相耦合的一端；以及

金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：漏极节点、栅极节点、源极节点以及体节点，其中，栅极节点设定为与所述半导体元件的第一端相耦合；以及源极节点和体节点设定为与所述半导体元件的第二端相耦合并接收能量。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容的第二端与地相耦合。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述漏极节点与地相耦合。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体元件为二极管。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体元件为测试金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括：漏极节点，与所述金属氧化物半导体场效应晶体管的浮栅节点以及所述电容相耦合；以及栅极节点、源极节点和体阱，所述栅极节点、源极节点和体阱都与所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极节点相耦合。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，第一传导类型的杂质离子注入到所述半导体元件的第二端，并且第二传导类型的杂质离子注入到所述半导体器件的第一端以及所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极节点。

7.一种在用于测量具有第一端和第二端的半导体元件的漏电流的装置中使用的方法，所述装置包括：电容，包括与所述半导体元件的第一端相耦合的一端；以及金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：漏极节点、栅极节点、源极节点和体节点，其中，栅极节点设定为与所述半导体元件的第一端相耦合，源极节点和体节点设定为与所述半导体元件的第二端相耦合并接收能量，所述方法包括：

向所述源极节点输入电流；

测量随时间变化的所述源极节点电压；以及

根据随时间变化的源极电压测量所述半导体元件的漏电流。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半导体的漏电流是通过将随时间变化的源极节点的电压代入公式Id=CrdVs(t)dt+CdgodVs(t)dt]]>中得到的，式中Id为所述半导体元件的漏电流，Cr为所述电容的电容值，Vs(t)为随时间变化的所述源极节点的电压，Cdgo为所述漏极和栅极之间的重叠电容。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述电容的另一端与地相耦合。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述漏极节点与地相耦合。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，第一传导类型的杂质离子注入到所述半导体元件的第二端，并且第二传导类型的杂质离子注入到所述半导体器件的第一端以及所述源极节点。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半导体元件为二极管，所述二极管包括与所述电容以及栅极节点相耦合的一端，以及与所述源极节点相耦合的另一端。

13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半导体元件为测试金属氧化物半导体场效应晶体管，该测试金属氧化物半导体场效应晶体管包括：漏极节点、栅极节点、源极节点和体阱，其中，所述漏极节点与所述金属氧化物半导体场效应晶体管的浮栅节点以及电容相耦合，并且，所述栅极节点、源极节点和体阱都与所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极节点相耦合。