[发明专利]用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统有效
申请号: | 200710141838.2 | 申请日: | 2007-08-13 |
公开(公告)号: | CN101159156A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 游志青 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | G11B20/10 | 分类号: | G11B20/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统,该方法包含以下步骤:检测多个长度,每一长度对应于光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑或一平面;进行对应于多个数据集类型的计算,以及产生分别对应于这些数据集类型的多个数据到时钟边沿偏差;并使用这些数据到时钟边沿偏差来微调分别对应于这些数据集类型的写入策略参数。本发明提供的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统,通过依据数据到时钟边沿偏差来微调写入策略参数,而不需要特定外部装置的协助,也不需要耗费工程师或研究员过多的时间,就可以微调光学存储装置的写入策略参数。 | ||
搜索关键词: | 用来 微调 光学 存储 装置 写入 策略 参数 方法 及其 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法,其特征在于,所述方法包含以下步骤:检测多个长度,每一长度对应于通过所述光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑或一平面;进行对应于多个数据集类型的计算,以及产生分别对应于所述多个数据集类型的多个数据到时钟边沿偏差,其中所述多个数据集类型至少包含凹坑平面凹坑数据集类型或至少包含平面凹坑平面数据集类型;以及使用所述多个数据到时钟边沿偏差来微调所述多个写入策略参数,其中所述多个写入策略参数分别对应于所述多个数据集类型。
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