[发明专利]鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法

摘要

本发明提供了一种鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。在基底上形成包括侧壁的多个台面结构。在台面结构上形成半导体层。在半导体层上形成覆盖层。因此，半导体层被覆盖层保护，并包括将被形成为鳍式结构的部分。通过平面化工艺来去除覆盖层的上部的部分，由此去除半导体层在台面结构的上表面上的那部分。结果，在台面结构的侧面上形成彼此隔离的鳍式结构。因此，可以形成具有非常窄的宽度的鳍式结构，并可以容易地控制鳍式结构的厚度和位置。

主权项

1.一种在基底上制造鳍式结构的方法，包括：在基底上形成多个台面结构，所述多个台面结构包括与鳍式结构对应的侧壁；在台面结构上沉积非晶半导体材料，以形成非晶半导体层，所述非晶半导体层包括直接形成在基底的表面上的部分和形成在台面结构的侧壁上的部分；在非晶半导体层上形成覆盖层；在形成在基底上的所得到的堆叠结构中，去除台面鳍式结构的上表面上的非晶半导体层和覆盖层的部分；将台面结构和覆盖层去除至预定的深度，以得到包括下部的鳍式结构，其中，所述下部由台面结构和覆盖层的剩余部分支撑。