[发明专利]鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法

权利要求书

1.一种在基底上制造鳍式结构的方法，包括：

在基底上形成多个台面结构，所述多个台面结构包括与鳍式结构对应的侧壁；

在台面结构上沉积非晶半导体材料，以形成非晶半导体层，所述非晶半导体层包括直接形成在基底的表面上的部分和形成在台面结构的侧壁上的部分；

在非晶半导体层上形成覆盖层；

在形成在基底上的所得到的堆叠结构中，去除台面鳍式结构的上表面上的非晶半导体层和覆盖层的部分；

将台面结构和覆盖层去除至预定的深度，以得到包括下部的鳍式结构，其中，所述下部由台面结构和覆盖层的剩余部分支撑。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在形成覆盖层之后，利用包括退火的结晶工艺使非晶半导体层结晶。

3.如权利要求1所述的方法，还包括在得到鳍式结构之后，利用包括退火的结晶工艺使鳍式结构结晶。

4.如权利要求3所述的方法，其中，利用固相外延和液相外延中的一种来使鳍式结构结晶。

5.如权利要求1所述的方法，其中，基底是晶体基底。

6.如权利要求5所述的方法，其中，基底和非晶半导体层是由硅形成的。

7.如权利要求1所述的方法，其中，台面结构和覆盖层由氧化硅形成。

8.如权利要求1所述的方法，还包括在形成台面结构之后，去除基底的表面上的氧化物。

9.如权利要求1所述的方法，还包括将离子注入到非晶半导体层。

10.如权利要求9所述的方法，其中，非晶半导体层是硅半导体层，离子是硅离子。

11.一种制造包括为鳍式结构的有源区的鳍式晶体管的方法，包括：

在基底上形成多个台面结构，所述多个台面结构包括与鳍式结构对应的侧壁；

在台面结构上沉积非晶半导体材料，以形成非晶半导体层，所述非晶半导体层包括直接形成在基底的表面上的部分和形成在台面结构的侧壁上的部分；

在非晶半导体层上形成覆盖层；

在形成在基底上的所得到的堆叠结构中，去除台面结构的上表面上的非晶半导体层和覆盖层的部分；

将台面结构和覆盖层去除至预定的深度，以得到包括下部的鳍式结构，其中，所述下部由台面结构和覆盖层的剩余部分支撑。

12.如权利要求11所述的方法，还包括在形成覆盖层之后，利用包括退火的结晶工艺使非晶半导体层结晶。

13.如权利要求11所述的方法，还包括在得到鳍式结构之后，利用包括退火的结晶工艺使鳍式结构结晶。

14.如权利要求13所述的方法，其中，利用固相外延和液相外延中的一种来使鳍式结构结晶。

15.如权利要求11所述的方法，其中，基底是晶体基底。

16.如权利要求15所述的方法，其中，基底和非晶半导体层是由硅形成的。

17.如权利要求11所述的方法，其中，台面结构和覆盖层由氧化硅形成。

18.如权利要求11所述的方法，还包括在形成台面结构之后，去除基底的表面上的氧化物。

19.如权利要求11所述的方法，还包括将离子注入到非晶半导体层。

20.如权利要求19所述的方法，其中，非晶半导体层是硅半导体层，离子是硅离子。