[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，在分立半导体的芯片中，已知在半导体衬底的第一主面侧设置电流经路上的第一电极及第二电极，且可进行倒装片安装。但是，由于在衬底内的水平方向也流过电流，故存在电阻成分增加的问题。在第一主面侧设置与元件区域连接的第一电极及第二电极，在第二主面侧设置具有耐腐蚀性、耐氧化性的低电阻的厚膜金属层。由此降低衬底水平方向流过的电流的电阻成分。另外，通过适宜选择厚膜金属层的厚度，可抑制成本的增大，降低装置的电阻值。另外，由于厚膜金属层采用Au，从而可防止随经过时间引起的厚膜金属层的变色等不良。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：具有第一主面及第二主面的半导体衬底；设于所述半导体衬底上的分立半导体的元件区域；设于所述第一主面侧且分别与所述元件区域连接的第一电极及第二电极；在所述第二主面侧露出且具有耐腐蚀性及耐氧化性的第一金属层；设于所述第一金属层和所述半导体衬底的所述第二主面之间的第二金属层；从所述第一电极通过所述半导体衬底的内部到达所述第二电极的电流经路，所述第一金属层为膜厚比所述第二金属层厚的厚膜金属层。