[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

具有第一主面及第二主面的半导体衬底；

设于所述半导体衬底上的分立半导体的元件区域；

设于所述第一主面侧且分别与所述元件区域连接的第一电极及第二电极；

在所述第二主面侧露出且具有耐腐蚀性及耐氧化性的第一金属层；

设于所述第一金属层和所述半导体衬底的所述第二主面之间的第二金属层；

从所述第一电极通过所述半导体衬底的内部到达所述第二电极的电流经路，

所述第一金属层为膜厚比所述第二金属层厚的厚膜金属层。

2.一种半导体装置，其特征在于，具备：

具有第一主面及第二主面的半导体衬底；

设于所述半导体衬底上的分立半导体的元件区域；

设于所述第一主面侧且分别与所述元件区域连接的第一电极及第二电极；

在所述第二主面侧露出且具有耐腐蚀性及耐氧化性的第一金属层；

设于所述第一金属层和所述半导体衬底的所述第二主面之间的第二金属层；

设于该第二金属层和所述第一金属层之间的第三金属层；

从所述第一电极通过所述半导体衬底的内部到达所述第二电极的电流经路，

所述第三金属层为膜厚比所述第一金属层厚的厚膜金属层。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属层是金。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第三金属层是铜。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述厚膜金属层的厚度，在该厚膜金属层的厚度和所述电流经路的电阻值的相关关系的基础上，设为所述电阻值饱和的下限附近的膜厚。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述厚膜金属层的膜厚为5000～20000。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述元件区域设置场效应晶体管、双极晶体管、二极管中之一。

8.一种半导体装置，在具有第一主面及第二主面的半导体衬底上设有分立半导体的元件区域，其特征在于，

所述元件区域具有将所述半导体衬底的局部设为公共的漏极区域的第一绝缘栅型半导体元件区域及第二绝缘栅型半导体元件区域，

具备：设于所述第一主面侧且分别与第一绝缘栅型半导体元件区域及第二绝缘栅型半导体元件区域连接的第一源极电极及第二源极电极；

在所述第二主面侧露出的具有耐腐蚀性及耐氧化性的第一金属层；

设于所述第一金属层和所述半导体衬底的所述第二主面之间的第二金属层；

从所述第一源极电极通过所述半导体衬底的内部到达所述第二源极电极的电流经路，

所述第一金属层为膜厚比所述第二金属层厚的厚膜金属层。

9.一种半导体装置，在具有第一主面及第二主面的半导体衬底上设有分立半导体的元件区域，其特征在于，

所述元件区域具有将所述半导体衬底的局部设为公共的漏极区域的第一绝缘栅型半导体元件区域及第二绝缘栅型半导体元件区域，

具备：设于所述第一主面侧且分别与第一绝缘栅型半导体元件区域及第二绝缘栅型半导体元件区域连接的第一源极电极及第二源极电极；

在所述第二主面侧露出的具有耐腐蚀性及耐氧化性的第一金属层；

设于所述第一金属层和所述半导体衬底的所述第二主面之间的第二金属层；

设于该第二金属层和所述第一金属层之间的第三金属层；

从所述第一源极电极通过所述半导体衬底的内部到达所述第二源极电极的电流经路，

所述第三金属层为膜厚比所述第一金属层厚的厚膜金属层。

10.如权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属层是金。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第三金属层是铜。