[发明专利]化学电镀沉积装置及形成导电层结构的方法有效
| 申请号： | 200710138241.2 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101265606A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈科维;郑穆韩;蔡建欣;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D17/00 | 分类号： | C25D17/00;C25D7/12;H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学电镀沉积装置及在半导体晶圆上形成导电层结构的方法。上述化学电镀沉积装置包括：化学电镀槽，其具有电镀液池，用以在衬底上沉积金属层；主要阴极与阳极，设置于电镀液池中，用以提供主要电场；衬底固定装置，固定半导体晶圆，且连接该主要阴极；以及辅助阴极，设置于该化学电镀槽外侧，用以提供辅助电场，使得位于该衬底固定装置中央位置的电力线密度与位于其外围周边位置的电力线密度实质上相同。本发明能够在电镀的过程中，在半导体晶圆的中央区域及周围区域形成均匀的电力线分布，从而改善工艺效果及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 电镀 沉积 装置 形成 导电 结构 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种化学电镀沉积装置，包括：化学电镀槽，其具有电镀液池，用以沉积金属层在衬底上；主要阴极与阳极，设置于电镀液池中，用以提供主要电场；衬底固定装置，用以固定半导体晶圆，且连接该主要阴极；以及辅助阴极，设置于该化学电镀槽外侧，用以提供辅助电场，使得位于该衬底固定装置中央位置的电力线密度与位于其外围周边位置的电力线密度实质上相同。
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