[发明专利]化学电镀沉积装置及形成导电层结构的方法

权利要求书

1. 一种化学电镀沉积装置，包括：

化学电镀槽，其具有电镀液池，用以沉积金属层在衬底上；

主要阴极与阳极，设置于电镀液池中，用以提供主要电场；

衬底固定装置，用以固定半导体晶圆，且连接该主要阴极；以及

辅助阴极，设置于该化学电镀槽外侧，用以提供辅助电场，使得位于该衬底固定装置中央位置的电力线密度与位于其外围周边位置的电力线密度实质上相同。

2. 如权利要求1所述的化学电镀沉积装置，其中该辅助阴极的位置与该阳极的位置等高。

3. 如权利要求1所述的化学电镀沉积装置，其中该辅助阴极的位置与该主要阴极的位置等高。

4. 如权利要求1所述的化学电镀沉积装置，其中该辅助阴极的位置的高度介于该阳极的位置与该主要阴极的位置的高度之间。

5. 如权利要求1所述的化学电镀沉积装置，其中该辅助阴极的材料包括铜或不锈钢。

6. 如权利要求1所述的化学电镀沉积装置，还包括：第一电源供应器，配置于该阳极与该主要阴极之间；以及第二电源供应器，配置于该阳极与该辅助阴极之间。

7. 如权利要求6所述的化学电镀沉积装置，其中该第一电源供应器提供第一多阶函数电流，而该第二电源供应器提供第二多阶函数电流。

8. 如权利要求7所述的化学电镀沉积装置，其中该第一多阶函数电流不同于该第二多阶函数电流。

9. 一种在半导体晶圆上形成导电层结构的方法，包括：

提供半导体晶圆，其上具有籽晶层，该籽晶层覆盖于一结构上；以及

利用如权利要求1所述的化学电镀沉积装置沉积导电层，其中该导电层的晶粒中，位于该半导体晶圆的中央位置的平均晶粒尺寸与位于其外围周边位置的平均晶粒尺寸之间的偏差值约小于3-5％。

10. 如权利要求9所述在半导体晶圆上形成导电层结构的方法，其中该沉积导电层的步骤包括在该阳极与该主要阴极之间提供第一多阶函数电流，以及在该阳极与该辅助阴极之间提供第二多阶函数电流。

11. 如权利要求10所述的在半导体晶圆上形成导电层结构的方法，其中该第一多阶函数电流不同于该第二多阶函数电流。