[发明专利]在处理器之间具有主接口的可多路径访问的半导体存储器无效

专利信息
申请号: 200710136795.9 申请日: 2007-07-27
公开(公告)号: CN101114271A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 申莲姬;孙汉求;李英敏;李东奕;朴钟旭;李镐哲;金美调;金中植;李彰浩 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F15/167 分类号: G06F15/167;G11C7/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 戎志敏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种可多路径访问半导体存储器件,在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括:存储单元阵列,具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区,所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问;访问路径形成单元,用于响应于处理器所施加的外部信号,在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径;以及接口单元,具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区,以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。
搜索关键词: 处理器 之间 具有 接口 路径 访问 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列,具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区,所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问;访问路径形成单元,用于响应于处理器所施加的外部信号,在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径;以及接口单元,具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区,以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。
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