[发明专利]光阻剂组成物及形成半导体器件的图案的方法无效
| 申请号： | 200710136304.0 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101216669A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郑载昌;李晟求 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/028 | 分类号： | G03F7/028;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种光阻剂组成物、以及在半导体器件中形成精细图案的方法。所述光阻剂组成物包含：基础树脂、丙烯酸或甲基丙烯酸与3，3－二甲氧基丙烯的共聚物、光致酸产生剂、有机碱、以及有机溶剂，并且用于通过双重图案化在半导体器件中形成精细图案。本发明的方法可以显著地减少蚀刻和硬掩模沉积工序中的步骤数量，从而可以减少工时和制造成本，如此有助于提高半导体器件的产率。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻剂 组成 形成 半导体器件 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光阻剂组成物，包含：基础树脂、具有丙烯酸或甲基丙烯酸与3，3-二甲氧基丙烯重复单元的第一共聚物、光致酸产生剂、有机碱、以及有机溶剂。
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