[发明专利]光阻剂组成物及形成半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种光阻剂组成物，包含：基础树脂、具有丙烯酸或甲基丙烯酸与3，3-二甲氧基丙烯重复单元的第一共聚物、光致酸产生剂、有机碱、以及有机溶剂。

2.根据权利要求1所述的光阻剂组成物，其中，

所述基础树脂包括：含有(叔丁基-2，2，1-双环庚烷羧酸酯/2-羟乙基-2，2，1-双环庚烷羧酸酯/马来酸酐)重复单元的共聚物、或含有(甲基丙烯酸2-甲基-2-金刚烷酯/甲基丙烯酸2-羟乙酯/N-异丙基丙烯酰胺)重复单元的共聚物的基础树脂。

3.根据权利要求1所述的光阻剂组成物，其中，

所述光致酸产生剂选自于一个群组，所述群组包括：九氟丁烷磺酸三苯基锍、邻苯二甲酰亚氨基三氟甲烷磺酸盐、甲苯磺酸二硝基苄酯、正癸基二砜、萘酰亚氨基三氟甲烷磺酸盐、六氟磷酸二苯基碘、六氟砷酸二苯基碘、六氟亚锑酸二苯基碘、三氟甲烷磺酸二苯基对甲氧基苯基锍、三氟甲烷磺酸二苯基对甲苯基锍、三氟甲烷磺酸二苯基对异丁基苯基锍、六氟砷酸三苯基锍、六氟亚锑酸三苯基锍、三氟甲烷磺酸三苯基锍、三氟甲烷磺酸二丁基萘基锍、及其组合。

4.根据权利要求1所述的光阻剂组成物，其中，

所述有机碱选自于一个群组，所述群组包括：三乙醇胺、三乙胺、三异丁胺、三异辛胺、三异癸胺、二乙醇胺、及其组合。

5.根据权利要求1所述的光阻剂组成物，其中，

所述有机溶剂选自于一个群组，所述群组包括：环己酮、二乙二醇二乙醚、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、2-庚酮、及其组合。

6.根据权利要求1所述的光阻剂组成物，其中，

以100重量份的所述有机溶剂为基准，所述基础树脂的含量在5至20重量份的范围内，包含丙烯酸或甲基丙烯酸与3，3-二甲氧基丙烯重复单元的第一共聚物的含量在0.2至2重量份的范围内，所述光致酸产生剂的含量在0.1至0.5重量份的范围内，并且所述有机碱的含量在0.01至0.1重量份的范围内。

7.一种形成半导体器件的图案的方法，包括下列步骤：

在半导体基板上依次形成基层和第一光阻膜，使所述基层置于所述半导体基板与所述第一光阻膜之间，所述第一光阻图案由光阻剂组成物形成，所述光阻剂组成物包含：基础树脂、具有丙烯酸或甲基丙烯酸与3，3-二甲氧基丙烯重复单元的第一共聚物、光致酸产生剂、有机碱、以及有机溶剂；

将所述第一光阻膜曝光并显影，以形成第一光阻图案；

使所述第一光阻图案固化；

在固化的第一光阻图案上面形成第二光阻膜；

按照使所述第二光阻图案与所述第一光阻图案不重叠的方式将所述第二光阻膜曝光并显影，以形成第二光阻图案；以及

利用所述第一光阻图案与所述第二光阻图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述基层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在范围从170℃至300℃的温度下进行所述固化步骤60秒至180秒。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在范围从220℃至270℃的温度下进行所述固化步骤90秒至130秒。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：

与所述第一光阻图案交错地形成所述第二光阻图案。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括：

以间距‘a’形成所述第一光阻图案，并且将所述第一光阻图案和所述第二光阻图案相对于彼此以间距‘a/2’布置。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，

基础树脂包含：含有(叔丁基-2，2，1-双环庚烷羧酸酯/2-羟乙基-2，2，1-双环庚烷羧酸酯/马来酸酐)重复单元的共聚物、或含有(甲基丙烯酸2-甲基-2-金刚烷酯/甲基丙烯酸2-羟乙酯/N-异丙基丙烯酰胺)重复单元的共聚物的基础树脂。