[发明专利]磁记录介质及其制造方法有效
| 申请号： | 200710136235.3 | 申请日： | 2007-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101159139A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李斗铉;尹成龙;孙镇昇;李丙圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。该磁记录介质包括：基底；软磁下层，形成在基底上；纹理层，形成在软磁下层上，并包括均匀的图案；记录层，包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域。记录层的磁性颗粒和非磁边界区域根据纹理层的规则的图案通过分离形成规则的粒状结构。因此，可在记录层上形成规则的粒状结构，而不需要例如对记录层进行蚀刻的工艺，从而可显著地提高磁记录介质的记录密度。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括：基底；软磁下层，形成在基底上；纹理层，形成在软磁下层上，并包括规则的图案；记录层，包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域，磁性颗粒和非磁边界区域与纹理层的规则的图案对应地形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710136235.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
